Міністерство освіти і науки України Дрогобицький механіко-технологічний коледж Лабораторія основ електроніки і мікроелектроніки Затверджую: Заст. директора з навчальної роботи _______ Ренжин П.М. “___”____2009р. Лабораторна робота № 7 Дослідження польових транзисторів Дрогобич 2009 р. 1 .Мета роботи : Вивчення властивостей польового транзистора шляхом зняття його стокових і стоко-затворних характеристик. 2.Схема макета
Рис.1 Вольтметр / V1 / - М42100, 5В, клас точності 1,5 ; Вольтметр / V2 / - М42100,15 В, клас точності 1.5; Міліамперметр / mA / - М42100, 5 мА, клас точності 1.5. 3.Теоретичні відомості: Польові транзистори за своїми конструктивними особливостями можна розділити на дві групи: Польові транзистори з електронно-дірковим переходом; Польові транзистори з ізольованим затвором / МДН-транзистори / На рис.1 приведена конструкція схеми ввімкнення польового транзистора з електронно – дірковим переходом.Тонкий шар напівпровідника типу “n” / “ р”/ , обмежений з двох сторін електронно-дірковими переходами, називається каналом. Принцип дії транзисторів з каналом типу “n” або “р” аналогічний : різниця полягає лише в полярності напруг джерел живлення. Ввімкнення каналу в електричне коло забезпечується за допомогою двох омічних електродів,один з яких називається виток /В/, а другий - стоком /С/. Вивід, що під’єднюється До області р-типу, являється керуючим електродом і називається затвором. Величина струму в каналі залежить від напруги Uсв, прикладеної між витоком і стоком. При Uсв і Rн=const струм в каналі Iс/струм стоку/ залежить тільки від ефективної площі поперечного перетину каналу. Джерело Езв створює від'ємну напругу на затворі, що призводить до збільшення товщини електронно-діркового переходу і зменшенння поперечного перетину канала.
При зменшенні перетину каналу збільшується опір між витоком і стоком знижується величина струму стоку.
Нехай напруга між затвором і витоком Uзв=0. При збільшенні напруги Uсв на стоку струм Iс буде наростати. Напочатку залежності IС =f /Ucв буде майже лінійною. Але при зростанніIc збільшується падіння напруги на каналі, підвищується зворотнє зміщення для електронно-діркових переходів, що приведе до звуження поперечного перетину каналу і заповільнення наростання струму Iс. Внаслідок цього канал звужується настільки, що подалъше підвищення напруги вже не приводить до зростання струму стоку, цей режим одержав назву режиму насичення. Залежність Ic =f /Uзв при Uсв-сonst одержала назву стоко-затворної характеристики /рис.3/. Основними параметрами польових транзисторів є: Крутизна характеристики S= ∆Ic/∆Uзв при Uсв-const Вхідний oпip Rвх= ∆Uзв/ ∆Iзв при Uсв-constВихідний опір Rвих = ∆Uсв/ ∆Ic ghb Uзв-const 4.Порядок складання схеми Подати на макет напругу живлення 9 і 24 В. Вимірювальні прилади з'єднати з відновідними клемами макета, звертаючи увагу на полярність їх ввімкнення. Після перевірки схеми ввімкнути стенд. 5. Зняття стокових характеристик транзистора Зняти залежнісьть Ic= f /Uсв при постійній напрузі на затворіUзB . Для цього потенціометром R2 встановити напругу Uзв=0.За допомогою потенціометра R4 змінювати вихідну напругу Ucв і користуючись мілівольтметром, зробити відлік струму стоку I0 Дані експерименту записати у табл.1. Таблиця 1 Uзв=0 Uсв. В          Iс. мА          Uзв=…B Uсв. В          Ic . мА м         а Повторити експеримент, встановивши інше значения напруги затвору Uзв . 6. Знімання стоко-затворної характеристики транзистора Зняти залежість Iсв=f /Uзв при постійній напрузі між стоком і витоком Ucв. Для цього потенціометром R4 встановити задане значения напруги стоку Ucв і в процесі експерименту пітримувати її незмінною. За допомогою потенціометра R2 змінювати напругу Uзв І к...